Схема формирователя на дрейфовых диодах

схема формирователя на дрейфовых диодах
Введение посвящено обоснованию актуальности темы и истории вопроса. Радиолокация — импульсная (широкополосная) локация, одно из преимуществ которой в налых габаритах и потреблении питания при большой импульсной мощности системы. Это во многом тормозило исследования и применение приборов. Работах Зиенко С. И. из Смоленского филиала Московского.


Превышение граничного заряда приводит к появлению медленной части фронта выходного импульса при закрывании диодов и неодновременности закрывания разных экземпляров. Включив параллельно транзистору корректирующий конденсатор в несколько пикофарад, можно немного улучшить форму импульсов и уменьшить почти в два раза время их нарастания. При заходе в лавинную область работы в условиях низкой технологической культуры производства первых транзисторов снижался процент выхода годных изделий. -Получены граничные соотношения для максимально возможной амплитуды выходных инпульсов в схемах с максимальными КПД и расчетные формулы для элементов формирователей. Приводится краткое содержание работы и основные положения, выносимые на защиту. Кроме того, они обычно требуют согласования линии с нагрузкой. На рис. 19 показана схема Аркадьева-Маркса с последовательным включением лавинных транзисторов в каждой секции. В таких схемах амплитуда импульсов может достигать многих сотен вольт и выше.

Короткоимпульсных ионных и электронных инжекторов и источников рентгеновского излучения диапазон необходимых амплитуд импульсов простирается до сотен киловольт. Получать следующие типичные параметры импульсов: U х~ 50В при. 2. Результаты экспериментальных исследований промышленных диодов в качестве ДДРВ и дзлп. При этом транзистор «аномально» быстро входит в глубокое насыщение.

Похожие записи: